等離子噴槍氣體的選擇和處理的材料范圍：
       相同配置的設備，氧氣等離子噴槍處理比氮氣等離子體處理效果更好。若需進行蝕刻，及其蝕刻后需要清除污垢，浮渣，表面處理，等離子聚合，等離子灰化或任何其他蝕刻應用，我們可以按照客戶的要求，生產出安全可靠的等離子蝕刻機技術。我公司兼具傳統(tǒng)的等離子型蝕刻系統(tǒng)和反應型離子型蝕刻系統(tǒng)，可以生產系列產品，也可以為客戶定制專用系統(tǒng)。我們可以提供快速/高質量蝕刻，提供所需的均勻度。

       隨著處理時間的延長，薄膜表面接觸角減小，但在一定時間內，接觸角幾乎沒有變化。等離子體處理可用于各種基底，復雜的幾何構形也可進行等離子噴槍活化，清洗，鍍膜等。等離子處理的熱負荷和機械負荷較低，因此，低壓等離子也能處理敏感材料。
以上結果說明，利用等離子噴槍表面處理PTFE粘性較好，需要不斷地調整各處理參數(shù)以獲得良好的處理工藝，CRF等離子噴槍操作簡單，可設定多個實驗參數(shù)，同時也可儲存多種工藝參數(shù)，這對探尋工藝參數(shù)很有幫助。
        等離子噴槍技術的典型應用是：半導體/集成電路；氮化鎵；氮化鋁/氮化鎵；砷化鎵/砷化鋁鎵；砷化鎵；磷化銦、鎵/銦鎵化物(InPInGaAs/InAlAs)；硅；硅鍺；硅化硅陶瓷(Si3N4)；硅的溴化氫；硒化鋅(ZnSe)；鋁；鉻；鉑；鉬；鈮；銦；鎢；銦錫氧化物；銦鈦酸鉛；塑料/高分子材料；聚四氟乙烯(PTFE)；聚甲醛(POM)；聚苯并咪唑(PBI)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰胺(PFA)；聚酰胺(PFA)；聚酰胺等。