從全球市場銷售份額來看，單晶圓清洗設備在2008年之后超過自動清洗臺成為主要的清洗設備，而這一年正是行業引入45nm節點的時間。根據ITRS，2007年致2008年是45nm工藝節點量產的開始。松下、英特爾、IBM、三星等紛紛于此時段開始量產45nm。2008年底，中芯國(際)獲得了IBM批量生產45納(米)工藝的授(權)，成為中國首(家)向45nm邁進的中國半導體公司。
      根據市場對半導體估計，就每月生產10萬片晶圓的20nm的DARM廠來說，產量下降1％將導致每年利潤減少30致50百萬美元，而邏輯芯片廠商的損失更高。此外，產量的降(低)還將增加廠商原本已經十(分)高昂的資本支出。因而，工藝的優化和控制是半導體生產制程的重中之重，廠商對于半導體設備的要求也越來越高，清洗步驟尤其如此。在20nm及以上領域，清洗步驟數量超過所有工藝步驟數量的30%。而從16/14nm節點開始，由3D晶體管結構、前后端更復雜的集成、EUV光刻等因素推動，工藝步驟的數量增加得很明(顯)，對清洗工藝和步驟的要求也將明(顯)增加。

      并且，在2008年前后兩個階段中，市場份額很高的清潔設備走勢均與半導體設備銷售額走勢保持一致，體現出清洗設備需求的穩定性；并且在單晶圓清洗設備主導市場后，其占總體銷售額的比例明(顯)提(升)，體現出單晶圓清洗設備和清洗工藝在半導體產業鏈中的地位提(升)。這一市場份額變遷是工藝節點不斷縮小的必然性結果。