硅片表層等離子表面處理獲得更好的鍵合效果：

       硅片的鍵合技術(shù)已廣泛應(yīng)用于傳感器和執(zhí)行器。但硅片的預(yù)鍵合通常是1萬℃在上述高溫條件下退火可達(dá)到較高的粘結(jié)強(qiáng)度，而高溫容易造成多種問題。
       特別是用于制造設(shè)備的硅片，高溫條件下硅與其他材料的熱不匹配導(dǎo)致熱應(yīng)力大，損壞設(shè)備，或發(fā)生一系列化學(xué)反應(yīng)和缺陷或污染，使設(shè)備失效。
       低溫鍵合中鍵合強(qiáng)度的顯著提高主要是由于鍵合前等離子體的表面預(yù)處理，通過調(diào)整表面預(yù)處理時間、偏置電壓大小、射頻功率、氣體流動速率等適當(dāng)?shù)墓に噮?shù)，可以避免間隙或孔隙的形成。
       等離子表面處理活化通常被稱為干表面活化，主要是利用等離子體的能量和材料表面的物理或化學(xué)反應(yīng)過程來實現(xiàn)清洗、蝕刻和表面活化。在活性等離子體的轟擊下，硅片表面會產(chǎn)生物理化學(xué)反應(yīng)，使被清洗物體表面的物質(zhì)變成顆粒和氣體物質(zhì)，通過抽真空排出，達(dá)到清洗污染和激活表面的目的。
       活化硅片等離子表面處理用O2等離子體轟擊圓片表面，清除有機(jī)污染和氧化物，使圓片表面達(dá)到高度不規(guī)則的多孔結(jié)構(gòu)，使硅片達(dá)到超高的鍵合率。