CRF電漿清洗機清理PTFE黏性不錯，但須要持續地調整工作參數：
        CRF電漿清洗機技術等離子體表面處理的功率并非越大越好，在較低功率下，清理的薄膜剪切強度隨著功率的增加而增加，達到峰值后強度逐漸降低。感應式耦合等離子體蝕刻方式(ICPE)是化學反應環節和物理環節的綜合結果顯示。它的機理是：在低壓下，由ICP射頻電源向環狀耦合電磁線圈輸出，通過耦合電弧放電，混合刻蝕汽體通過耦合電弧放電，產生致密的等離子體，在下電極RF作用下，在基片表面躍遷，基片圖形區域內的半導體器件的離子鍵被打斷，與刻蝕汽體產生揮發性物質，將汽體從基片中分離出來，抽離真空管。
        同樣條件下，氧氣等離子體清理比氮氣等離子體清理效果更好。如果須要進行蝕刻，以及蝕刻后須要清除污垢，浮渣，表面處理，等離子聚合，等離子灰化或任何其他蝕刻應用，我們可以按照客戶的要求，生產出安全可靠的電漿清洗機技術。我公司兼具傳統的等離子型蝕刻系統和反應型離子型蝕刻系統，可以生產系列產品，也可以為客戶定制專用系統。我們可以提供快速/高質量蝕刻，提供所需的均勻度。

        隨著清理時間的延長，薄膜表面接觸角減小，但在一定時間內，接觸角幾乎沒有變化。等離子體清理可用于各種基底，復雜的幾何構形也可進行等離子體活化，等離子體清洗，等離子體鍍膜等。等離子處理的熱負荷和機械負荷較低，故此，低壓等離子也會清理敏感材料。
       以上結果顯示闡述，利用等離子體表面處理PTFE黏性不錯，須要持續地調整各清理參數以獲得良好的處理工藝，CRF誠峰智電漿清洗機操作簡單，可設定多個實驗參數，同時也可儲存多種工藝參數，這對探尋工藝參數很有幫助。
        CRF電漿清洗機技術的典型應用是：半導體/集成電路；氮化鎵；氮化鋁/氮化鎵；砷化鎵/砷化鋁鎵；砷化鎵；磷化銦、鎵/銦鎵化物(InPInGaAs/InAlAs)；硅；硅鍺；硅化硅陶瓷(Si3N4)；硅的溴化氫；硒化鋅(ZnSe)；鋁；鉻；鉑；鉬；鈮；銦；鎢；銦錫氧化物；銦鈦酸鉛；塑料/高分子材料；聚四氟乙烯(PTFE)；聚甲醛(POM)；聚苯并咪唑(PBI)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰胺(PFA)；聚酰胺(PFA)；聚酰胺等。