CRF低溫等離子設備增強單量子點技術熒光輻射源，改善產(chǎn)品發(fā)光成效品質(zhì):
       用作量子點技術發(fā)光的定向耦合輸出天線，金島膜結(jié)構(gòu)增強了PL收集效率，得到了較高的光譜收集效率，但對飽和激發(fā)功率和熒光壽命的作用較小。金島膜與量子點技術發(fā)光的耦合與量子點技術發(fā)光波長及量子點技術樣品中金島膜的具體納米結(jié)構(gòu)有關。

       金屬納米結(jié)構(gòu)可改變光場輻射源的方向，形成光場的定向發(fā)射。因此，金屬納米結(jié)構(gòu)被廣泛應用于研究激發(fā)光場增強、熒光發(fā)射耦合以及與誘導效應發(fā)光間的相互影響，如利用塔姆等離激元模式、納米顆粒、納米天線、金屬膜、納米結(jié)構(gòu)和CRF低溫等離子設備共振等，增強量子點技術的熒光輻射強度、形成熒光定向發(fā)射、增強熒光收集效率等。
        CRF低溫等離子設備增強單量子點技術熒光輻射源，改善產(chǎn)品發(fā)光成效品質(zhì)。熒光增強效應的主要物理機理，是金島膜結(jié)構(gòu)用作有效的量子點技術發(fā)光的定向耦合輸出，天線增加了量子點技術的PL收集效率，從而得到較高的光譜收集效率。
        金島膜結(jié)構(gòu)主要是增強了量子點技術光譜的收集效率，提供了一種有效制備明亮的單光子源的方法。同時也觀察到少量像QD2一樣的量子點技術存在著發(fā)光壽命變小(約為270ps)、飽和激發(fā)功率增加(約為1nW)、總的熒光強度變?nèi)醯默F(xiàn)象，這是因為其發(fā)光能量被金島膜吸收而損耗，無輻射復合起主要作用。
        金島膜對量子點技術發(fā)光壽命、發(fā)光強度和飽和激發(fā)功率有一定的調(diào)制作用。金島膜納米結(jié)構(gòu)有利于增強量子點技術PL光譜的收集效率，這為制備明亮的單光子源提供了一種有效的方法。