1、用不同材料的鈍化膜芯片進行等離子清洗試驗中發現，研究膜層材料對等離子清洗過程的響應情況。試驗中選取不同種類的氮化硅和聚酰亞胺鈍化膜的芯片10只，經過多次等離子清洗后，放大200倍觀察芯片表面的狀態。
聚酰亞胺鈍化膜的芯片在經過等離子清洗后可能會出現鈍化膜局部略微凸起的圈狀起皺現象，不同鈍化膜材料對等離子清洗響應的差異較大。起皺芯片的整個聚酰亞胺鈍化膜為完整連續的，起皺部位沒有出現裂紋，且下層的鋁條和硅基體沒有損傷。
2、等離子清洗，設備功率對78L12芯片的影響
等離子清洗過程中的時間（400 s）保持不變，通過改變等離子清洗功率，研究等離子清洗功率對78L12芯片的影響規律。等離子清洗功率為100 W、200 W、300 W、400 W、500 W時，78L12芯片的常溫和加熱條件下（85 ℃）輸出電壓的變化，在等離子清洗時間和氣氛不變的前提下，隨著清洗功率的增加，等離子清洗前后78L12芯片在常溫和加熱條件下輸出電壓變化量均呈近似線性增加的趨勢。在等離子清洗功率和氣氛不變的前提下，隨著清洗時間的增加，等離子清洗前后78L12芯片的常溫和加熱條件下輸出電壓變化量不斷增加，并趨于穩定。
3、退火工藝對78L12芯片電性能的影響
將常規工藝等離子清洗后78L12芯片置于150 ℃的空氣環境中存儲4 h，隨后測試其輸出電壓，結果將等離子清洗后的78L12芯片置于150 ℃的空氣中退火4 h后，芯片的輸出電壓顯著回落。加熱條件下儲存環境加速了芯片材料內部原子的運動速度和振動頻率，促使原子向平衡狀態的轉變，表現為78L12芯片輸出電壓的回落。這也說明等離子清洗中78L12芯片電壓的升高是一個可逆的過程，芯片內部并未
發生擊穿性損傷。
4、加電老煉對78L12芯片電性能的影響
將退火后的78L12芯片在125 ℃下老煉168 h后，測量芯片的輸出電壓，見表4。78L12芯片經過功率老煉考核之后，輸出電壓值穩定。相比于等離子清洗之前測定的初始電壓，老煉后的輸出電壓略有下降，這是等離子清洗后芯片退火不徹底，在125 ℃、168 h的加熱條件下誘導下退火過程持續進行，輸出
電壓進一步下降。
5、氮化硅膜芯片在多次等離子清洗后未出現鈍化膜起皺的現象。因此，對于聚酰亞胺膜的芯片，需控制等離子清洗的次數，即進行一次等離子清洗。而氮化硅鈍化膜的芯片可以進行多次等離子清洗，無圈狀起皺的風險。
在等離子清洗對芯片電性能影響的研究中發現，隨著等離子清洗功率和時間的增加，78L12芯片的輸出電壓均呈增加的趨勢。在等離子清洗過程中造成芯片的輸出電壓的變化是一個可逆的過程，在退火及加電老煉等過程中，輸出電壓逐漸回落，恢復平衡。因此，等離子清洗過程未對芯片造成不可恢復的電性能損傷，芯片的長期可靠性得以保證。

以上資訊僅供大家參考學習，如有更好建議，歡迎大家積極踴躍提出寶貴建議，多謝大家一直的支持與關注！