AR和N2在真空等離子設(shè)備的等離子體產(chǎn)生的必要的2種氣源：
AR：H2可供消除金屬表面氧化物使用。它時(shí)常與氬氣混合使用,以提高消除速度。一般人們擔(dān)心氫氣的易燃性,氫氣的使用量非常少。人們更大的擔(dān)心是氫氣的存儲(chǔ)。我們可以采用H2真空等離子設(shè)備發(fā)生器從水中產(chǎn)生氫氣。從而去掉了潛在的危害性。H2與O2類(lèi)似，屬于高活性氣體，可以對(duì)表面進(jìn)行活化及清洗。H2與O2的區(qū)別主要是反應(yīng)后形成的活性基團(tuán)不同，同時(shí)H2具有還原性，可用于金屬表面的微觀(guān)氧化層消除且不易對(duì)表面敏感有機(jī)層造成損壞。所以在微電子、半導(dǎo)體及線(xiàn)路板制造行業(yè)使用較廣。因H2為危險(xiǎn)性氣體，未被電離時(shí)與O2匯合會(huì)發(fā)生自爆，所以在真空等離子設(shè)備中通常是禁止兩種氣體混合使用的。
真空等離子狀態(tài)H等離子呈紅色，和ar在相同的放電環(huán)境下，等離子體的顏色略深于氬等離子體。CF4/SF6：氟化的氣體在半導(dǎo)體工業(yè)以及PWB(印制線(xiàn)路板)工業(yè)中應(yīng)用非常廣泛。在IC封裝中的應(yīng)用只有一種。這些氣體用在PADS工藝中,通過(guò)這種處理,氧化物轉(zhuǎn)化成氟氧化物,允許無(wú)流動(dòng)焊接。

N2：N2電離形成的等離子體能夠與部分分子結(jié)構(gòu)發(fā)生鍵合反應(yīng)，所以也是一種活性氣體，但相對(duì)于O2和H2而言，其粒子比較重，通常情況下在真空等離子設(shè)備應(yīng)用中會(huì)把此氣體界定在活性氣體氧氣、氫氣與惰性氣體氬氣之間的一種氣體。在清洗活化的同時(shí)能夠達(dá)到一定轟擊、刻蝕的果，同時(shí)能夠防止部分金屬表面出現(xiàn)氧化。氮?dú)馀c其他氣體組合形成的等離子體通常會(huì)被應(yīng)用于一些特殊材料的處理。N等離子體在真空等離子體設(shè)備狀態(tài)下也是紅色的，氮等離子體在相同的放電環(huán)境下會(huì)比氬等離子體和氫等離子體更亮。