當前，硅片表面微粒的去除方法主要有兩種：一種是標準洗滌(RCA)洗滌技術性，另一種是使用等離子清洗機洗滌。RCA洗滌技術性中的大部分洗滌裝置都是多槽浸泡式洗滌系統。
        選用以下流程進行洗滌：1號液(SC-1)(NH40H+H202)-HF+H20)1、2號液(SC-2)(HCl+H202)。其中，SC.主要是去除顆粒沾污(微粒)，也可以除去部分金屬雜質。其原理是硅片表面由H202氧化形成氧化膜(約6nm，親水性)，再被NH40H腐化，腐化后直接產生氧，氧化和腐化反復發生，附著在硅片表面的粒子也隨著腐化層的侵蝕而產生。天然氧化膜厚度為0.6nm左右，與NH40H、H202濃度、清洗液溫度無關。SC-2是由H202和HCL組成的酸性溶液，它具有很強的氧化性和絡合性，可以與未氧化的金屬產生鹽。去離子水清潔后，CL產生的可溶性絡合物也被去除。RCA洗滌技術性具有工作量大、實際操作環鏡危險性的技術性繁雜、洗滌時間長、生產效率低的洗滌溶劑長期浸泡容易腐爛硅片和水痕，影響設備性能的清洗劑和超凈水消耗量大、生產成本高的缺點。 

      等離子清洗法的原理是：依靠處于“等離子態”的物質“激活”，達到清除物體表面微粒的日。一般包括下列程序：
a.無機汽體被激起為等離子體；
b.氣相物吸附于固體的表面；
被吸附基團與固體表面分子發生反應，產生產物分子；
產物分子解析形成(相：e.反應殘余物從表面分離)。
       上述等離子清洗法，所述的制程參數設置為：腔室壓力10-40ml托，汽體流100-500sccm，時間1-5s。在優選條件下，汽體清潔流程的工序參數設置為：腔室壓力10-20ml，工序氣體流量100-300sccm，時間1-5s；汽體清潔流程的工序參數設置為：腔室壓力10-20ml托，流程氣體流量100-300sccm，時間1.Ss。盡量將汽體清潔流程的工序參數設置為:腔室壓力15毫托，工序氣體流量300時間3秒；啟輝流程的工出參數設置為:室壓15毫托，上電極功率300毫托，時間3秒。